Seit September baut die US-Chipfirma Wolfspeed bei Mercy im US-Bundesstaat New York die weltweit größte Fab für Siliziumcarbid-Chips, ein Investment von rund einer Milliarde Dollar. Die Hälfte davon übernimmt der US-Bundesstaat New York. Hierzulande bekannt wurde das US-Unternehmen aus dem US-Bundesstaat North Carolina 2016 als Infineon versuchte sich die Technologie zu sichern - durch den Kauf des Cree-Segments, das damals schon Wolfspeed hieß. Aus Sicht von Infineon-Chef Reinhard Ploss waren die Amerikaner schon damals weltweit die Nummer Eins in diesem Zukunftsmarkt. Mit dem Zukauf wollte Infineon seine Präsenz in dieser Nische schneller ausbauen. Der Zukauf wurde von den US-Behörde CFIUS 2017 wegen nationaler Sicherheitsbedenken untersagt. Inzwischen hat Infineon seine eigene Technologie für Verbindungshalbleiter deutlich ausgebaut.

Chipaufsteiger Wolfspeed gibt Gas


Der milliardenschwere Bau der Fab zeigt, dass auch für Cree Verbindungshalbleiter nun Kerngeschäft sind. Im März 2021 wurde das LED-Geschäft verkauft. Seit Oktober heißt Cree Wolfspeed. Für das Geschäftsjahr bis Ende Juni 2022 erwarten Analysten im Schnitt gut 36 Prozent mehr Erlös, rund 689 Millionen US-Dollar. Für die folgenden Jahre werden jährliche Zuwächse von mehr als 50 Prozent prognostiziert. Die Schwelle von einer Milliarde Dollar Umsatz soll Wolfspeed mit geschätzten 1,5 Milliarden Dollar bis Juni 2024 erreichen - vielleicht schon ein Jahr früher. Der erste Nettogewinn, rund 6,3 Milliarden Dollar, soll im Geschäftsjahr 2022/23 eingefahren werden. Im laufenden Geschäftsjahr wird es voraussichtlich noch ein moderates Minus von knapp hundert Millionen Dollar sein.

Siliziumcarbid und Galliumnitrid besser als Silizium


Verbindungshalbleiter aus Siliziumcarbid und Galliumnitrid sind in bestimmten Anwendungen klar die bessere Alternative zu Chips aus Silizium. Sie sind energieeffizienter und damit für LEDs, Solarzellen, bei Hochgeschwindigkeitstransistoren und bei Komponenten für elektrische Antriebe oder im 5G-Mobilfunk besser geeignet. Verbundchips sind Leistungshalbleiter, die im Vergleich zu Komponenten aus reinem Silizium größere Spannungen schalten können. Sie verlieren nur halb so viel Energie als Wärme und kommen so mit kleineren und günstigeren Lüftungssystemen aus.

Chipmärkte mit jährlichen Wachstumsraten von mehr als 20 und mehr als 30 Prozent


Die Markforscher von IHS Markit taxieren den Markt für Chips aus Siliziumcarbid und Galliumnitrid für 2027 auf zehn Milliarden US-Dollar und erwarten bis dann jährliche Zuwächse von mehr als 30 Prozent. Einer der wesentlichen Treiber dafür ist der Umstieg der Autobranche auf elektrische Antriebe und die Digitalisierung der Fahrzeugtechnik. Aber auch im Mobilfunk sind die Verbindungshalbleiter mit den künftigen Standards 5G und 6G die bessere Alternative. Bei Galliumnitrid-Chips für den Mobilfunk erwarten Experten der internationalen Unternehmensberatung McKinsey bei den globalen Erlösen jährliche Wachstumsraten von mehr als 20 Prozent und taxieren den Markt für 2026 auf 1,1 Milliarden Dollar.

Anmerkung der Redaktion: Anleger können mit dem Euro am Sonntag Next Gen Tech -Zertifikat (ISIN DE000LS9SHB0) in überdurchschnittlich innovative Unternehmen wie Aixtron, Infineon und Wolfspeed investieren. Weitere Details zum Euro am Sonntag Next Gen Tech gibt es bei Wikifolio .

Favoriten im Wachstumsmarkt Verbindungshalbleiter


Infineon und Aixtron in Deutschland sowie Wolfspeed in Amerika sind drei technologisch führende Unternehmen, die vom Zukunftstrend Verbindungshalbleiter profitieren. Aixtron entwickelt die dafür notwendigen Maschinen mit einem speziellen Verfahren (MOVCD). Damit werden ultradünne Schichten von Atomen auf die Scheiben (Wafer) zur Herstellung von Halbleitern aufgetragen. Für Aixtron ist die zunehmende Popularität der Verbindungshalbleiter bei erneuerbaren Energien, Elektromobilität und 5G der Zugang in neue Wachstumsmärkte. So erwarten die Aachener 2021 deutliche Zuwächse bei Anlagen, die Halbleiter auf Basis von Galliumnitrid für Leistungselektronik herstellen. Wegen der geringeren Wärmeabstrahlung der Chips können etwa Aufladegeräte kleiner gebaut werden. Die Leistungselektronik wird auch in Ladesäulen für Elektroautos Autos mit Elektroautos genutzt.